MOS器件的重要特性是什么?15个问题和答案

2019-04-30 作者:网络整理   |   浏览(80)
在阈值电压的表达中,与掺杂浓度和温度有关的因素主要是费米半导体的电位。
当p型半导体基板的掺杂浓度NA变高,它是在价带的顶部容易地改变费米能级的半导体,该半导体的费米电势变高,变得难以实现。由于反转层生成条件ψs≥2ψB,因此阈值电压上升。
随着温度T升高,半导体的费米能级趋向于从带隙的中心改变,半导体的费米电位B减小,结果,更容易形成反型层。由于2ψB,阈值电压降低。
2.为什么E-MOSFET的源极 - 漏极电流在夹断和饱和后变大(即,它与源极漏极电压无关)。
[答案]E-MOSFET沟道的夹断是在栅极电压超过最大电压后漏极源的电压将沟道穿通到漏极端子的状态。阈值电压
事实上,在一端被刺穿的频道并不意味着根本没有频道。
当栅极电压低于阈值电压时,沟道不存在,处于非导通状态或关断状态。
通道的箍缩区域被耗尽区,在电压上升的降低主要是捏漏极 - 源极的区域,当载体到达夹送区域,有在夹区中的强电场。由于Pinchazo的端部区域可以退出漏极通过电场拖动,压紧区域不仅不与载体的通道干扰,相反,有可能成功地导电。因此,如果存在通道并且其通道夹在一端之间,则它是良好的导体状态,并且在夹断通道之后来自输出源的漏电流最高。
由于在漏极端子中钻出E 2 MOSFET沟道之后,收缩区域基本上是耗尽区域,所以漏极源的张力的额外增加必须主要适合于收缩区域。沟道剩余沟道的长度基本保持不变,夹断后源极的漏极电流主要由沟道长度决定。因此,此时的源极漏极电流基本上不会根据源极漏极电压而改变。输出电流饱和。
3.为什么短沟道E-MOSFET饱和源的饱和电流不完全饱和?
[答案]在短沟道MOSFET的情况下,输出源的输出电流饱和的基本原因有两个。一个是由通道夹断引起的电流饱和,另一个是饱和。由于速度饱和导致的电流
夹送饱和信道,的箍缩区域随着在夹紧区域的电压增加的长度,剩余的通道的长度也是源 - 与漏极电压下降,所以这降低了电流。当源极 - 漏极Δθ对应于源极漏极电压增加时,输出电流不完全饱和。
然而,该不饱和电流的程度与通道的长度有关。对于长沟道MOSFET,该pinch区域的长度随源极的漏极电压而变化,并且可以相对于沟道的长度忽略。结果,在夹断通道之后,源极的漏极电流基本上“饱和”。然而,在短沟道MOSFET的情况下,该夹断区域的长度随着源极的漏极电压与沟道的总长度相比而变化。在夹断通道之后,随着源极的漏极电压增加,它明显增加并且不会饱和。
由于速度饱和引起的电流饱和,通常电场强并且载波速度饱和,漏源电压进一步增加并且电流不增加。
因此,原则上,此时的饱和电流不依赖于漏源电压。对于短沟道MOSFET,还存在电流不饱和的另一个重要原因,即所谓的DIBL效应(减少由排水引起的源极障碍)。
由于高和低结总是在源区和沟道之间具有屏障,所以漏源电压越高,势垒越小,来自漏源的输出电流越不饱和。
总之,导致短沟道MOSFET电流不饱和的因素主要是沟道长度调制和DIBL效应的影响。
4.为什么饱和源的漏电流与E-MOSFET的饱和电压之间存在平方关系?
【答案】改进型MOSFET(E - MOSFET)饱和源的漏电流表达式